Физические и физико-химические основы ионной имплантации ENG Физические и физико-химические
основы ионной имплантации
V Всероссийская конференция
и школа молодых ученых и специалистов
Нижний Новгород, 27-31 октября 2014 года
Посвящается памяти профессора Качурина Г.А.
Предыдущие конференции и семинары: 2002 2004 2006 2008 2010 2012
Общая информация
Оргкомитет
Информация для докладчиков
Регистрация
Файлы
Актуальная информация:
[28.09.2014]
[16.09.2014]
[01.06.2014]
В связи с многочисленными просьбами потенциальных участников V Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» срок регистрации и подачи тезисов доклада продлен до 15 июня 2014 года
[01.04.2014]
Открыта регистрация участников. Заявки на участие принимаются только в электронном виде!

ПРОГРАММА
III Всероссийской конференции «Физические и физико-химические основы ионной имплантации»

Нижний Новгород, 26-29 октября 2010 года

26 октября, вторник

08.00 – 10.30 Заезд, размещение и регистрация участников конференции

10.30 – 11.00 Открытие конференции
Вступительное слово председателя оргкомитета, ректора ННГУ проф. Е.В. Чупрунова

11.00 – 12.30 CЕКЦИЯ 1.
Общие физические и физико-химические проблемы ионной имплантации
Председатель – д.ф.-м.н., проф. Д.И. Тетельбаум (НИФТИ ННГУ, Н. Новгород)


А.Ф.Вяткин
Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, Черноголовка
Формирование сверхузких р-nпереходов имплантацией примесей при пониженных температурах30 мин., приглашенный доклад

О.А. Подсвиров1), П.А. Карасёв1), К.В. Карабешкин1), А.Я. Виноградов2), Н.Н.  Карасёв3), А.И. Титов1), А.С. Смирнов1), В.С. Беляков1)
1)С.-Петербургский государственный политехнический университет, С.-Петербург,
2)Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург,
3)Государственный университет информационных технологий, механики и оптики, С.-Петербург
Влияние облучения атомарными и кластерными ионами на свойства тонких алмазоподобных плёнок15 мин.

Манухин, А.А. Барат
Московский энергетический институт (технический университет), Москва
Расчет энергетических спектров распыления слоистых мишеней легкими ионами – 15 мин.

С.В. Оболенский
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Физико-топологическое  моделирование радиационных  эффектов  в  диодах  и  транзисторах  на  основеполупроводниковых  гетеронаноструктур– 15 мин.

С.А. Кривелевич
Ярославский филиал Физико-технологического института РАН, Ярославль
Распределение температуры в зоне реакции образования интерметаллических соединений, контролируемой с помощью ионной имплантации15 мин.

12.30 – 13.30 Перерыв на обед

13.30 – 15.00 CЕКЦИЯ 2.
Физические проблемы имплантации в полупроводники
Председатель – д.ф.-м.н., проф. Н.Н.Герасименко (МИЭТ (ТУ), Зеленоград)


А.И. Титов1), А.Ю. Азаров2), С.О. Кучеев3)
1)С.-Петербургский государственный политехнический университет, С.-Петербург,
2)Universityof Oslo, Oslo, Norway,
3)Lawrence LivermoreNational Laboratory, Livermore, USA
Накопление структурных нарушений при ионном облучении GaNв условиях преаморфизации приповерхностного слоя – 15 мин.

А.И. Титов1), П.А. Карасёв1), А.Ю. Азаров2), А.Ю. Катаев1)
1)С.-Петербургский государственный политехнический университет, С.-Петербург, 2)University of Oslo, Oslo, Norway
Природа поведения объёмного максимума структурных нарушений в GaNпри росте дозы бомбардирующих ионов 15 мин.

А.Ю. Азаров1), А.И. Титов2), П.А. Карасёв2), С.О.Кучеев3)
1)University of Oslo, Oslo, Norway,
2)С.-Петербургскийгосударственный политехнический университет, С.-Петербург,
3)Lawrence Livermore National Laboratory, USA
Накопление структурных нарушений в ZnO при бомбардировке тяжелыми ионами – 15 мин.

В.В. Козловский1), В.В. Емцев2),  А.М. Иванов2), А.А. Лебедев2), Н.Б. Строкан2)
1)С.-Петербургский государственный политехнический университет, С.-Петербург, 2)Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
Сравнительный анализ радиационного дефектообразования в n-Si иn-SiC при имплантации ионов водорода МэВ-ных энергий– 15 мин.

Н.А.  Соболев1), А.Е.  Калядин1), Е.И.  Шек1), В.И.  Сахаров1), И.Т.  Серенков1),
Е.О. Паршин2), М.И. Маковийчук2)
1)Физико-технический институт им. А.Ф. Иофе РАН, С.-Петербург,
2)Ярославский филиал Физико-технологического института РАН, Ярославль
Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами эрбия при повышенной температуре – 15 мин.

Ю.А.  Данилов
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Моделирование процесса ионно-имплантационной изоляции в полупроводниках А3В5   – 15 мин.

15.00 – 15.15 Кофе-брейк

15.15 – 16.30 CЕКЦИЯ 3.
Взаимодействие лазерного излучения с поверхностью и отжиг ионно-легированных слоев
Председатель – д.ф.-м.н., проф. А.М. Борисов (НИИЯФ МГУ, Москва)


Р.М. Баязитов
Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского КазНЦ РАН, Казань
Импульсный отжиг имплантированных полупроводников в микроэлектронике30 мин., приглашенный доклад

 П.П. Трохимчук
Волынский национальный университет имени Леси Украинки, Луцк, Украина
Роль механизмов поглощения  оптического излучения при лазерном отжиге полупроводников– 15 мин.
 А.Ю.  Дроздов1), Н.М.  Мерзлякова2) , В.Я.  Баянкин1)
1)Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск,
2)Удмуртский государственный университет, Ижевск
Моделирование импульсного лазерного воздействия на поверхность металла – 15 мин.

 А.В. Жихарев, И.Н. Климова, В.Я. Баянкин
Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск
Исследование влияния энергетического воздействия лазера на формирование состава поверхностных слоев фольг Ni50Cu50 – 15 мин.

16.45 – 18.15 Школа молодых ученых и специалистов

 Демидов Евгений Сергеевич,
профессор, д.ф.-м.н., Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Магнитные полупроводники: физические свойства и применение– 45 мин.

 Шаркеев Юрий Петрович,
профессор, д.ф.-м.н., Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
Получение наноструктурированного титана: структура, механические свойства и модификация при ионной имплантации– 45 мин.

27 октября, среда

09.30 – 11.00 CЕКЦИЯ 4.
Ионно-лучевое формирование наноструктур и объектов спинтроники, их свойства
Председатель – д.ф.-м.н., проф. А.Ф. Вяткин (ИПТМ РАН, Черноголовка)

Н.Н. Герасименко
Национальный исследовательский университет «Московский государственный институт электронной техники», Зеленоград
Формирование наноструктур с помощью ионной бомбардировки30 мин., приглашенный доклад

А.И.Белов
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Синтез и модификация свойств светоизлучающих кремниевых и кремний-углеродных нанокластеров в оксидных слоях– 30 мин., доклад по материалам кандидатской диссертации

А.В.  Ершов, Д.И.  Тетельбаум, А.И.  Машин
Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского, Нижний Новгород
Оптические свойства структур с вертикально упорядоченными нановключениями кремния в high-k-оксидах – 15 мин.

А.Н. Михайлов, А.Б. Костюк, А.И. Белов, А.П. Касаткин, М.Е. Шенина, А.Ю. Дудин, И.А. Чугров, А.В. Ершов, О.Н. Горшков, Д.И. Тетельбаум
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Ионно-лучевое формирование металлических наночастиц в оксидных слоях с нанокристаллами кремния15 мин.

11.00 – 11.15 Кофе-брейк

11.15 – 12.30 CЕКЦИЯ 4.
Ионно-лучевое формирование наноструктур и объектов спинтроники, их свойства(продолжение)
Председатель – д.ф.-м.н., проф. А.И.Титов (СПбГПУ, С.-Петербург)


Ф.Ф. Комаров1), Л.А. Власукова1), О.В. Мильчанин1), А.В. Мудрый2), Б.С. Дунец1)
1)Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
2)Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
Ионный синтез нанокристаллов InAs и GaSb в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники– 30 мин., приглашенный доклад

С.Н. Нагорных, В.И. Павленков, А.Н. Михайлов, В.А. Бурдов, Д.И. Тетельбаум
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского, Н. Новгород
Термоактивационный механизм фотолюминесценции нанокристаллов кремния, ионно-синтезированных в матрице SiO2 15 мин.

Д.И. Тетельбаум, А.Б. Костюк, А.И. Белов, А.Н. Михайлов, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Фотолюминесценция пленок SiO2:Ercнанокристаллами кремния, ионно-легированными фосфором15 мин.

Е.С. Демидов, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, М.В. Карзанова, Н.Е. Демидова, И.С. Рассолова, Ю.И.  Чигиринский, А.Н. Шушунов, Д.И. Тетельбаум, о.н. горшков, Е.А. Европейцев
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Люминесцентные, транспортные и парамагнитные свойства пористого кремния с примесями редкоземельных элементов на имплантированном ионами фосфора кремнии – 15 мин.

12.30 – 13.30 Перерыв на обед

13.30 – 16.00 Экскурсия в Музей науки «Нижегородская радиолаборатория» Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского»

16.00 – 17.00 CЕКЦИЯ 4.
Ионно-лучевое формирование наноструктур и объектов спинтроники, их свойства(продолжение)
Председатель – к.ф.-м.н., с.н.с. Р.И. Хайбуллин (КФТИ КазНЦ РАН, Казань)


Р.А. Андриевский
Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка
Облучение наноструктурированных материалов– 30 мин., приглашенный доклад

Г.А. Качурин1), С.Г. Черкова1), Д.В. Марин1), А.Г. Черков1), В.Г. Кеслер1), В.А.  Скуратов2)
1)Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск,
2)Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
Влияние состава слоев SiOxна формирование в них светоизлучающих наноструктур Siпод действием быстрых тяжелых ионов– 15 мин.

А.Ф. Зацепин1), Е.А. Бунтов1), В.С.Кортов1), А.Н. Михайлов2), А.И. Белов2), Д.И. Тетельбаум2)
1)Уральский государственный технический университет, Екатеринбург,
2)Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Люминесценция имплантированных пленок SiO2:Si:Cпри возбуждении импульсным синхротронным излучением – 15 мин.

17.15 – 18.45 Школа молодых ученых и специалистов

 Титов Андрей Иванович,
профессор, д.ф.-м.н, С.-Петербургский государственный политехнический университет, С.-Петербург
Роль нелинейных каскадов столкновений в накоплении структурных нарушений при облучении полупроводников ионами – 45 мин.

 Трохимчук Петр Павлович,
доцент, к.ф.-м.н., Волынский национальный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
Основы релаксационной оптики – 45 мин.

28 октября, четверг

09.30 – 11.00 CЕКЦИЯ 4.
Ионно-лучевое формирование наноструктур и объектов спинтроники, их свойства(продолжение)
Председатель – д.ф.-м.н., проф. Е.С. Демидов (ННГУ, Н. Новгород)


Р.И. Хайбуллин
Казанский физико-технический институт КазНЦ РАН, Казань
Исследование природы явления ферромагнетизма в оксидных полупроводниках, имплантированных ионами переходной группы железа– 30 мин., приглашенный доклад

N.A. Sobolev
Departamento de Física and I3N, Universidade de Aveiro, Aveiro, Portugal
Synthesis of magnetic nanocrystals in semiconductors and oxides by ion implantation– 30мин.,приглашенный доклад

Г.Г. Гумаров1,2), В.Ю. Петухов1,2), Р.А. Халиков1), А.И. Гумаров1,2), Д.А.  Коновалов1) , В.И.  Нуждин1)
1)Казанский физико-технический институт КазНЦ РАН, Казань,
2)Казанский (Приволжский) федеральный университет, Казань
Исследование магнитной анизотропии тонких пленок, ионно-синтезированных в аморфном и кристаллическом кремнии– 15 мин.

Р.И.  Баталов1), Р.М.  Баязитов1), В.И. Нуждин1), Н.Г.  Галкин2), Д.Л.  Горошко2), К.Н.  Галкин2), С.В.  Ваванова2), И.А.  Петрушкин2), А.М.  Маслов2), П.И. Гайдук3), Г.Д. Ивлев4)
1)Казанский физико-технический институт КазНЦ РАН, Казань,
2)Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток,
3)Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь,
4)Институт физики им. Б.И. Степанова НАН, Минск, Беларусь
Структурные и оптические свойства нанокристаллических слоев CrSi2, синтезированных имплантацией и импульсным отжигом– 15 мин.

11.00 – 11.15 Кофе-брейк

11.15 – 12.30 CЕКЦИЯ 5.
Эффект дальнодействия при ионном облучении и смежные вопросы
Председатель – к.ф.-м.н., с.н.с. Ю.А. Данилов (НИФТИ ННГУ, Н. Новгород)


Д.И. Тетельбаум1), Е.В. Курильчик2), Г.П. Похил3)
1)Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 2)Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород,
3)Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова
Эффект дальнодействия как отклик реальной структуры системы твердое тело – диэлектрическая пленка на внешнее воздействие –30 мин., приглашенный доклад

Т.Ю. Коломиец1), В.Л. Левшунова2), А.И. Мирончик1), Ю.А. Дудин2),
Г.П. Похил1), Д.И. Тетельбаум2)
1)Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова,
2)Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Аномальный перенос примеси при ионном облучении кремния, как  проявление эффекта дальнодействия – 15 мин.

Д.В. Белов, Г.И. Успенская, В.А. Грачев, В.А. Шмелева
Нижегородский политехнический университет, Нижний Новгород
Исследование физико-химических процессов в системе окисел-полупроводник после светового воздействия – 15 мин.

А.А. Новоселов, Ф.З. Гильмутдинов, В.Я. Баянкин
Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск
Сегрегационные проявления эффекта дальнодействия при ионной имплантации прокатанных медно-никелевых фольг – 15 мин.
12.30 – 13.30 Перерыв на обед

13.30 – 15.30 Стендовая сессия

15.30 – 16.45 CЕКЦИЯ 6.
Физические и физико-химические проблемы имплантации в неполупроводниковые материалы
Председатель – д.ф.-м.н., проф. В.Я. Баянкин (ФТИ УрО РАН, Ижевск)


Ю.П. Шаркеев1) И.А. Курзина2), И.А. Божко2), А.Ю. Ерошенко1)
1)Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск,
2)Томский государственный архитектурно-строительный университет, Томск
Структурное состояние и механические свойства наноструктурного, ультрамелкозернистого и крупнозернистого титана, имплантированного ионами алюминия – 15 мин.

А.А. Колотов, А.А. Новоселов, А.Ю. Дроздов, В.Я. Баянкин, Ф.З. Гильмутдинов
Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск
Исследование диффузионных процессов в?-Fe при импульсном ионном облучении 15 мин.

В.Л. Воробьёв, П.В. Быков, В.Я. Баянкин
Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск
Формирование состава поверхностных слоев, изменение морфологии поверхности и механических свойств углеродистой стали в зависимости от скорости набора дозы ионов марганца – 15 мин.

П.В. Быков, Д.Г. Шайсултанов, В.Я. Баянкин
Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск
Влияние облучения ионами алюминия на изменение состава и структуры поверхностных слоев нержавеющей стали 08Х18Н10Т – 15 мин.

В.С. Авилкина1), Н.Н. Андрианова1), А.М. Борисов1), Ю.С. Виргильев2), Е.С. Машкова1)
1)Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва,
2)ФГУП НИИ «Графит», Москва
Исследование закономерностей ионно-индуцированных структурных изменений в графите с помощью in situизмерений ионно-электронной эмиссии – 15 мин.

17.00 – 18.30 Школа молодых ученых и специалистов

Воронов Герман Александрович,
ведущий специалист компании НТНК, Москва
Зондовые методы исследования поверхности– 45 мин.

Ершов Алексей Валентинович,
доцент, к.ф.-м.н., Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Многослойные нанопериодические структуры на основе кремния: свойства и их направленная модификация– 45 мин.

19.00 Банкет

29 октября, пятница

10.00 – 11.15 CЕКЦИЯ 6.
Физические и физико-химические проблемы имплантации в неполупроводниковые материалы (продолжение)
Председатель – д.ф.-м.н., в.н.с. Р.М. Баязитов (КФТИ КазНЦ РАН, Казань)

О.Н. Горшков, А.П. Касаткин
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Формирование металлических нанокластеров методом ионной имплантации в монокристаллах и пленках на основе диоксида циркония с различной кристаллической структурой– 30 мин., приглашенный доклад

О.Н. Горшков, М.Е. Шенина, А.Ю. Дудин, А.П. Касаткин
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Формирование золотых наночастиц в стабилизированном диоксиде циркония методом ионной имплантации

О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, М.Е. Шенина, А.Ю. Дудин, А.П. Касаткин
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Формирование наноразмерных частиц золота в тонких плёнках диоксида германия методом ионной имплантации – 15 мин.

Н.И. Халитов1,2), В.Ф.  Валеев2), Ю.И.  Гатиятова2), E.Н. Дулов1), Ю.Н.  Осин2), Л.Р.  Тагиров1), Р.И.  Хайбуллин 1,2), S. Kazan3), A.G.  Sale3), F. Mikailzade3)
1)Казанский (Приволжский) федеральный университет, Казань,
2)УРАН Казанский физико-технический институт КНЦ РАН, Казань,
3)GebzeInstitute of Technology, Gebze-Kocaeli, Turkey
Структурные, оптические и магнитные свойства титаната бария, имплантированного ионами кобальта и железа – 15 мин.

11.15 – 11.30 Кофе-брейк

11.30 – 12.45 CЕКЦИЯ 7.
Актуальные вопросы применений ионной имплантации
Председатель – д.ф.-м.н., проф. В.В. Козловский (СПбГПУ, С.-Петербург)

М.И. Маковийчук
Ярославский филиал Физико-технологического института РАН, Ярославль
Физические основы SIMBOX- и SIMPOX– технологий – 30 мин., приглашенный доклад

М.Ю. Барабаненков, А.Ф. Вяткин, А.И. Ильин, В.И. Зиненко
Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, Черноголовка
Ионно-лучевой синтез дифракционной решетки с планарным дефектом на поверхности кремния и её оптические свойства – 15 мин.

В.П. Попов1), Л.Н. Сафронов1), О.В. Наумова1), В.Г. Ерков1), Д.В. Николаев1), И.Н. Куприянов2), Ю.Н. Пальянов2)
1)Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск,
2)Институт геофизики, геологии и минералогии СО РАН, Новосибирск
Проводящие слои внутри алмаза, сформированные имплантацией высоких доз ионов водорода и отжигом– 30 мин., приглашенный доклад

12.45 – 14.00 Перерыв на обед

14.00 – 15.00 CЕКЦИЯ 7.
Вопросы методики имплантации и диагностики ионно-облученных слоев
Председатель – д.ф.-м.н., в.н.с. Н.А. Соболев (ФТИ им.А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург)

А.И. Мирончик, Г.П. Похил
Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова
Двойное управление пучком ионов при наклоненном плоском капилляре– 15 мин.

Б.Ф. Фаррахов, Я.В. Фаттахов, М.Ф. Галяутдинов
Казанский физико-технический институт им Е.К. Завойского КазНЦ РАН, Казань
Диагностика твердофазной рекристаллизации и нагрева имплантированных полупроводников при облучении световыми импульсами – 15 мин.
Г.А. Воронов
Компания НТНК, Москва
Техника наноиндентирования – 15 мин.

А.А. Дмитриевский, Н.Ю.  Ефремова, А.П. Занина
Тамбовский государственный университет имени Г.Р. Державина, Тамбов
Роль скоростного фактора при тестировании твердости кремния, облученного низкоинтенсивным потоком бета-частиц – 15 мин.

15.00 – 15.15 Кофе-брейк

15.15-16.45 Заключительное заседание
Сопредседатели – д.ф.-м.н., проф. Д.И. Тетельбаум, к.ф.-м.н. О.Н. Горшков (НИФТИ ННГУ, Н. Новгород)
Обсуждение стендовых докладов
Общая дискуссия

СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ

А.Н. Пустовит
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка
Об одном свойстве интеграла рассеяния для квазималоуглового приближения
 
Ю.А. Агафонов, А.Ф. Вяткин, А.Н. Пустовит
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка
Влияние межатомного расстояния в твердом теле на пробеги ионов средних энергий
 
П.А. Карасёв1), А.И. Титов1), К.В. Карабешкин1), В.С. Беляков1), А.Ю. Азаров2), С.Ю. Землякова3)
1)С.-Петербургский осударственный политехнический университет, С.-Петербург
2)University of Oslo, Oslo, Norway
3)Государственный электротехнический университет, С.-Петербург
Особенности радиационного повреждения поверхности GaN при облучении небольшими кластерными ионами
 
Ю.С. Гроздов, Н.А. Добычин, В.В. Карзанов
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Природа парамагнитных дефектов в ионно-синтезированных слоях нитрида кремния
 
И.Н. Антонов, Н.А. Добычин, В.В. Карзанов, М.О. Марычев, В.В. Сдобняков, Е.А. Питиримова
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Фотолюминесценция нитрида кремния, подвергнутого ионной имплантации
 
В.С. Просолович, Ю.Н. Янковский
Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
Дефектообразование в кремнии, имплантированном редкоземельными элементами
 
Д.И. Бринкевич, В.Б. Оджаев, В.С. Просолович, Ю.Н. Янковский
Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
Свойства слоев кремния, имплантированных аргоном
 
Р.И. Баталов1), Р.М. Баязитов1), В.Ф. Валеев1), Н.Г. Галкин2), Е.А. Чусовитин2), Т.А. Дергачева3), П.И. Гайдук4), С.Л. Прокопьев4), Г.Д. Ивлев5), Е.И. Гацкевич5)
1)Казанский физико-технический институт КазНЦ РАН, Казань
2)Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
3)Дальневосточный государственный университет, Владивосток
4)Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
5)Институт физики им. Б.И. Степанова НАН, Минск, Беларусь
Импульсная модификация тонкопленочных SiGeструктур
 
А.С. Пузанов, С.В. Оболенский
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Изменение транспорта электронов в SiGeгетеробиполярном транзисторе при воздействии потока нейтронов
 
С.А. Денисов1), В.Ю.Чалков1), В.Г.Шенгуров1), Е.В.Коротков2), Д.А.Павлов2), Е.А.Питиримова2), В.Н.Трушин1)  
1)Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
2)Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Влияние приложения потенциала к подложке на структуру и морфологию слоев Si на сапфире
 
Д.В. Шенгуров1), М.В. Степихова1), Ю.Н. Дроздов1), В.Ю. Чалков2), В.Г. Шенгуров2)
1)Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород,
2)Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Эффекты воздействия низкоэнергетических ионов Si+ при эпитаксии Si(1-x)Gex на Si(100)
 
Н.Н. Герасименко1), А.А. Чамов2), Н.А.Медетов1), В.А. Ханин1)
1)Национальный исследовательский университет «Московский государственный институт электронной техники», Зеленоград,
2)ОАО  «НИИМЭ и завод «Микрон»», Зеленоград
Образование периодического рельефа при травлении кремния фокусированным ионным пучком
 
О.А. Сахаров, Н.Н. Герасименко
Национальный исследовательский университет «Московский государственный институт электронной техники», Зеленоград
Формирование Si-Ge кластеров ионной имплантацией
 
Н.Н. Герасименко, Т.А. Кулевой, П.Е. Якушин, Д.Н. Селезнев, Н.А. Медетов, О.А. Запорожан
Национальный исследовательский университет «Московский государственный институт электронной техники», Зеленоград
Формирование силицида рения импульсным ионным пучком высокой плотности
 
И.К. Бейсембетов, Н.Б. Бейсенханов, А.М. Дощанов, С.К. Жариков, Б.К. Кенжалиев, К.Х. Нусупов
Казахстанско-Британский технический университет, Алматы, Казахстан
Синтез ?-SiC в слоях SiCx (x = 0.03?1.4) многократной имплантацией ионов С+ в Si.
 
Е.В. Медведева1), В.А. Ивченко1), С.С. Александрова2)
1)Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург,
2)Институт металлургии УрО РАН, Екатеринбург
Количественный анализ структуры наноматериалов, полученных ионно-лучевой обработкой
 
Н.В. Курова, В.А. Бурдов
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Оже-рекомбинация в нанокристаллах кремния
 
А.А. Ершов1), И.А. Чугров1), А.В. Ершов1), А.Н. Михайлов2) Д.И. Тетельбаум2)  
1)Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
2) Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Влияние ионного легирования на люминесцентные свойства многослойных нанопериодических структур nc-Si/оксид
 
И.А. Чугров1), А.В. Ершов1), Е.С. Демидов1), А.А. Ершов1), Н.Е. Демидова2)
1)Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
2)Нижегородский государственный архитектурно-строительный университет им. В.П. Чкалова, Нижний Новгород
Электроперенос в многослойных нанопериодических структурах nc-Si/оксид, ионно-легированных фосфором
 
В.А. Бурдов, А.А. Конаков
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Сенсибилизация ионов Er3+ нанокристаллами кремния с примесью фосфора в матрице диоксида кремния
 
А.И. Белов1), А.Н. Михайлов1), Д.Е. Николичев2), А.В. Боряков2), А.П. Сидорин2), А.В. Ершов2), Д.И. Тетельбаум1), В.А. Терехов3), Э.П. Домашевская3), Д.Е. Спирин3)
1)Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
2)Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
3)Воронежский государственный университет, Воронеж
Фотолюминесценция и фазовый состав пленок SiOx, имплантированных ионами углерода
 
С.А. Ахлестина, В.К. Васильев, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Применение протонного облучения для управления длиной волны излучения гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs
 
Д.И.  Бринкевич1), В.С. Волобуев1), М.Г.  Лукашевич1) Ф.А. Нажим1), В.Ф. Валеев2), В.И. Нуждин2), В.Б. Оджаев1)
1)Белорусский государственный университет, Минск
2)Казанский физико-технический институт им. Е.К.  Завойского КазНЦ РАН, Казань
Наблюдение эффектов дальнодействия при ионной имплантации тонких полимерных пленок полиимида и полиэтилентерефталата
 
М.В. Гуткин1), А.В. Мурель2), Д.И. Тетельбаум1)
1)Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
2)Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
Влияние облучения светом на параметры кремниевых МОП-структур и барьеров Шоттки
 
А.И.  Гумаров1), В.Ф.  Валеев2), S.Güler3), Ю.Н.  Осин2), Б.З.  Рамеев2,3), Р.Р.  Хакимова 1,2), Р.И.  Хайбуллин1,2), Л.Р.  Тагиров1,2)
1)Казанский (Приволжский) федеральный университет, Казань
2)Казанский физико-технический институт им. Е.К.  Завойского КазНЦ РАН, Казань
3)GebzeInstitute of Technology, Gebze-Kocaeli, Turkey
Магнитные свойства оксида цинка (ZnO), имплантированного ионами кобальта и марганца
 
И.Р.  Вахитов1), В.И.  Нуждин2), Ю.Н.  Осин2), Е.Н.  Дулов1), О.А. Стребков1), О.Ф. Тимофеев1), Р.И.  Хайбуллин1,2), Л.Р.  Тагиров1,2)
1)Казанский (Приволжский) федеральный университет, Казань
2)Казанский физико-технический институт им. Е.К.  Завойского КазНЦ РАН, Казань
Структурные, оптические и магнитные свойства рутила (TiO2), имплантированного ионами железа
 
В.В.  Базаров1), Е.Р. Житейцев1), В.И.  Нуждин1), Р.И.  Хайбуллин1,2), Л.Р.  Тагиров1,2)
1)Казанский физико-технический институт им. Е.К.  Завойского КазНЦ РАН, Казань
2)Казанский (Приволжский) федеральный университет, Казань
Характеризация кислородных вакансий в рутиле (TiO2), имплантированном ионами аргона
 
М.Ф.  Сарманова1), Д.О.  Аликин1), М.А.  Долбилов1), А.В.  Иевлев1), М.С.  Небогатиков1), В.Я.  Шур1), Н.В.  Гаврилов2)
1)Уральский государственный университет им. А.М. Горького, Екатеринбург
2)Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург
Формирование микро- и нанодоменных структур в ниобате лития, модифицированном имплантацией ионов
 
О.Н. Горшков1), Н.В. Золотарева2), А.П. Касаткин1), В.В. Семенов2), В.М. Треушников3), Д.В. Скамницкий1), М.Е. Шенина1)
1)Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
2)Институт  металлоорганической химии им. Г.А. Разуваева
РАН, Нижний Новгород
3)ООО «Репер-НН», Нижний Новгород
Анализ оптических спектров пропускания и отражения полиакрилатных стекол, облученных ионами золота и серебра
 
О.Н. Горшков1), Н.В. Золотарева2), А.П. Касаткин1), В.В. Семенов2), Д.В. Скамницкий1), М.Е. Шенина1)
1)Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
2)Институт  металлоорганической химии им. Г.А. Разуваева
РАН, Нижний Новгород
Наведенный показатель преломления в пленках прозрачных органических и кремнийорганических полимеров при ультрафиолетовом облучении
 
О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, М.Е. Шенина, Д.А. Антонов, А.Ю. Дудин, А.Н. Михайлов, А.П. Касаткин
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний НовгородЭлектронные и оптические свойства стабилизированного диоксида циркония, облученного ионами золота
 
Т.В. Губарева
Братский государственный университет, Братск
Гетерогенные реакции щелочно-галоидных кристаллов: роль высокоэнергетических факторов
 
О.А. Подсвиров1), А.В. Нащекин3),  В.Н. Неведомский3), А.И. Сидоров2),
А.В. Востоков1), К.В. Карабешкин1), О.А. Усов3)
1)С.-Петербургский государственный политехнический университет, С.-Петербург,
2)С.-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики, С.-Петербург
3)Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
Воздействие электронного и ионного облучений на формирование металлических наночастиц в фото-термо-рефрактивных и фото-хромных стеклах
 
Н.В. Гущина1), В.В. Овчинников1), А.А. Клепикова1), Ф.Ф. Махинько1), Л.И. Кайгородова2)
1)Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург,
2)Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург
Особенности структурно-фазового состояния закаленного сплава Д16 после воздействия ионного облучения
 
В.В. Овчинников, А.А. Клепикова, Н.В. Гущина, Ф.Ф. Махинько
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург
Исследование микроструктуры холоднодеформированного сплава Д16 после ионно-лучевой обработки
 
В.С. Авилкина1), Н.Н. Андрианова1), А.М. Борисов1), Ю.С. Виргильев2),
В.С. Куликаускас1), Е.С. Машкова1), Е.А. Питиримова3)
1)Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва,
2)ФГУП НИИ «Графит», Москва
3)Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Исследование структуры и эмиссионных свойств поверхностного слоя квазикристалла графита при высокодозном ионном облучении
 
А.Г. Николаев1), О.Н. Лопатин1), В.И. Нуждин2), Р.И. Хайбуллин2)
1)Казанский (Приволжский) федеральный университет, Казань
2)Казанский физико-технический институт им. Е.К.  Завойского КазНЦ РАН, Казань
Новые возможности ионной имплантации для изменения колометрических свойств алмазов
 
О.Н. Горшков, В.К. Васильев, Д.В. Гусейнов, Д.А. Лаптев, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Кинетика дефектообразования в Siпри облучении ионами Si+ в режиме каналирования – исследование методом регистрации характеристического рентгеновского излучения непосредственно в процессе облучения
 
В.В. Поплавский, В.Г. Матыс, Т.С. Стельмах
Белорусский государственный технологический университет, Минск, Беларусь
Ионно-лучевое формирование активной поверхности электрокатализаторов на основе вентильных металлов
 
Д.А.  Коновалов1), Г.Г.  Гумаров1,2), В.Ю. Петухов1,2), В.Ф. Валеев1)
1)Казанский физико-технический институт им. Е.К.  Завойского КазНЦ РАН, Казань
2)Казанский (Приволжский) федеральный университет, Казань
Автоматизированныймагнитополяриметр для исследования тонких пленок
 
В.М. Ветошкин, Р.М. Закирова, П.Н. Крылов, С.П. Кузькина
Удмуртский государственный университет, Ижевск
Влияние ионно-лучевой обработки на структуру прозрачно-проводящих пленок    
 
В.М. Ветошкин, Р.М. Закирова, П.Н.Крылов
Удмуртский государственный университет, Ижевск
Высоковакуумная установка для нанесения и ионно-лучевой обработки пленок на основе оксидов металлов
 
Р.Л. Новожилов, И.А. Маштаков, А.Ю. Азов
НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, Нижний Новгород
Установки ионной имплантации
 
Н.Н. Герасименко, Д.И. Смирнов, Н.А. Медетов
Национальный исследовательский университет «Московский государственный институт электронной техники», Зеленоград
Возможности исследования имплантированных структур на многофункциональном рентгеновском комплексе “X-Ray MiniLab”
 
Д.А. Карташов, Н.А. Медетов, Д.И. Смирнов, Р.С. Орлов
Национальный исследовательский университет «Московский государственный институт электронной техники», Зеленоград
Компьютерные методы обработки результатов рентгеновских измерений параметров наноструктур
Адрес оргкомитета:
603950, г. Нижний Новгород, ГСП-20, пр. Гагарина, д. 23, корпус 3,
Карзанову В.В.

ett@phys.unn.ru
Контактные телефоны:
(831) 4623308 Жарков Евгений Сергеевич,
Карзанов Вадим Вячеславович,
(831) 4623188 Тетельбаум Давид Исаакович,
Михайлов Алексей Николаевич
Техническая поддержка сайта: webmaster@phys.unn.ru